RS6R035BHTB1 与 BSC520N15NS3 G 区别
| 型号 | RS6R035BHTB1 | BSC520N15NS3 G | ||||||||||
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| 唯样编号 | A32-RS6R035BHTB1-7 | A-BSC520N15NS3 G | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Nch 150V 35A, HSOP8, Power MOSFET | 系列:OptiMOS™ | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 73W | - | ||||||||||
| RoHS compliant | - | yes | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V | ||||||||||
| Moisture Level | - | 1 Ohms | ||||||||||
| Ciss | - | 670.0 pF | ||||||||||
| Rth | - | 2.2 K/W | ||||||||||
| Coss | - | 80.0pF | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 3V,2V,4V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | SuperSO8 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 35A | 21A | ||||||||||
| QG (typ @10V) | - | 8.7 nC | ||||||||||
| 系列 | - | OptiMOS™ | ||||||||||
| Ptot max | - | 57.0W | ||||||||||
| QG | - | 8.7nC | ||||||||||
| Ptot max | - | 57.0 W | ||||||||||
| IDpuls max | - | 84.0 A | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 41mΩ@35A,10V | 52mΩ | ||||||||||
| Budgetary Price €/1k | - | 0.4 | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 2,500 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价(含税) |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RS6R035BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 41mΩ@35A,10V -55°C~150°C ±20V 150V 35A |
¥18.2424
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||||
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BSC360N15NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
150V 33A 36mΩ 20V 74W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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BSC520N15NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
21A SuperSO8 -55°C~150°C N-Channel 150V 52mΩ 3V,2V,4V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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FDS86242 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.1A(Ta) ±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) 67m Ohms@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.1A 8-SOIC |
暂无价格 | 67,479 | 对比 | ||||||||||||
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FDS2582 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.1A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 66m Ohms@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.1A 8-SOIC |
¥4.323
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200 | 对比 | ||||||||||||
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FDS2572 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
4.9A(Tc) ±20V 2.5W(Ta) 47m Ohms@4.9A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.9A 8-SOIC |
¥3.718
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50 | 对比 |